韩国三星电子与SK海力士正围绕极紫外（EUV）光刻机展开一场「交付排期争夺战」，外媒引述消息人士最新报道指出，两者各自投入规模介于10万亿至20万亿韩元，目标是锁定ASML 2027至2028年稀缺产能，为先进DRAM与HBM扩产卡位。

ASML已在第三季财报会议明确示警：即便2027年EUV产能提升30%、2028年再扩产30%，仍无法满足客户需求。今年EUV出货量约65台，较去年44台增长近50%，但供给瓶颈持续发酵；核心设备交付周期已拉长至原水准两倍，涨价效应预计2027年浮现、后年充分显现，今年Q3存储器客户占ASML整机销售比重已达46%。

SK海力士今年3月曾说，采购约11.95万亿韩元EUV设备，交付期限订于2027年底。随着1c制程（10纳米级第六代DRAM）微缩，EUV应用层数由过去3层增加至5层以上，单线设备需求同步攀升。

集邦咨询（TrendForce）指出，制程越先进，曝光工时与机台数量越成为产能爬坡的强大束缚。

三星则配合平泽P5产线节奏下单。该厂隶属五年450万亿韩元本土投资方案，单座晶圆厂投资逾60万亿韩元，目标2028年投产；一期无尘室预计明年上半年完工，光刻设备将陆续进场。三星同时规划2028年导入High-NA EUV，抢下先进DRAM量产窗口。

设备紧缺正从前道延伸至后道。韩美半导体、安靠（Amkor）等先进封装厂订单能见度已排满两至三年，热压键合机（TC Bonder）等HBM关键制程设备需求走扬。

业内人士判读，AI数据中心芯片不只比前段制程，后端多维度堆叠互连价值同步抬升，前后段景气绑定加深。

分析人士指出，这轮抢单本质是「抢时间」：谁先锁定机台、完成验证，谁就能在HBM与下一代DRAM周期拉开身位；反之，资本开支上行、折旧与资金占用压力也将同步放大。