英飞凌科技股份公司（fse：ifx / otcqx：ifnny）旗下的infineon technologies llc推出第二代非易失性静态ram（nvsram）。新一代器件已通过qml-q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。

256 kb stk14c88c和1 mb stk14ca8c nvsram采用32引脚300 mil双列直插式陶瓷封装，符合mil-prf-38535 qml-q规格（-55°c至125°c）和英飞凌的工业标准（-40 °c至85°c）。5 v和3 v版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持封装系统。infineon technologies llc航天与国防业务副总裁helmut puchner表示：“新一代nvsram扩展了英飞凌在电荷阱型存储器领域的领导地位。我们nvsram系列中新增的这些符合qml-q规范的高可靠性工业用器件证明了我们致力于为需要高性能、高可靠性存储器的恶劣工作环境提供解决方案。”

英飞凌的nvsram技术将高性能sram与一流的sonos非易失性技术相结合。在正常工作条件下，nvsram的作用类似于传统的异步sram。断电时，nvsram会自动将sram数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据的保护期限超过20年。英飞凌已交付超过20亿颗基于sonos的非易失性嵌入式或独立存储器。