企业动态

横河WT5000功率分析仪常见易损操作的案例解析

科瑞杰-供电是仪器正常工作的根本，一般来说电子测量仪器都是通过电源模块将220V/110V的交流电转变为自身工作所需的低压直流电源，而以下几种情况可能会引起电源故障进而使仪器遭到损坏。

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横河WT5000功率分析仪为何显示V或kV？量程与精度决定单位

科瑞杰-经常会有功率分析仪的用户提出这样的疑问，测量同样的电压，为什么有时候显示的单位是V，有的时候却又是kV？比如同样是测量100V左右的电压，有的时候显示100.123V，有的时候却会显示成0.10012kV。

2026-10-27 993 关键词：功率分析仪量程有效数字科瑞杰
高速光互连时钟方案：爱普生三款晶振覆盖400G／800G／1.6T光模块选型

AI 算力正推动数据中心高速迭代：400G 光模块规模化上量，800G 加速部署，1.6T 开始进入新品导入期。光互连速率每翻一代，高速 SerDes 与 DSP 链路对时钟源的相位抖动、封装尺寸、频率稳定度就提出更严苛的分层化需求。爱普生（EPSON）SG2520VGN、SG3225VAN、TG5032CFN 三款振荡器，形成梯度时钟矩阵，为光模块厂商提供覆盖多代速率与多种功能的时钟选型方案。

2026-10-27 510 关键词：爱普生晶振光模块时钟元器猫差分晶振
从PC端控制横河测量仪器的连接方式（GP-IB/RS-232/以太网/USB）

科瑞杰-上机位：可以直接发送操作指令的计算机或单片机，一般提供用户操作交互界面并向用户展示反馈数据。下机位：下位机一般指用于接收和反馈上位机的指令的计算机或单片机，并且根据指令控制机器执行动作以及从传感器读取数据。

2026-10-27 334 关键词： SCPI命令上位机通讯 GPIB总线科瑞杰
Panasonic松下CR2032纽扣电池（加引线或焊脚或配电池座）的介绍

在现代电子设备中，CR2032钮扣电池广泛应用于手表、计算器、遥控器以及一些电子产品中。很多客户可能会遇到需要焊接CR2032电池pin脚、加上引线端子或者加上电池座的问题，尤其电力电气行业、汽车电子行业、工业计算机行业、储能行业、医疗电子等。

2026-10-27 821 关键词： CR2032纽扣电池松下Panasonic 电池焊脚唐辉电子
储能 BMS 需求爆发，中低压 MOS 管行业发展趋势解读

全球储能产业进入规模化落地阶段，户用储能、工商业储能、便携式户外电源市场持续放量。BMS 电池管理系统作为储能电池包的安全核心，充放电回路、电芯均衡回路都高度依赖中低压 MOSFET。随着储能项目大规模落地，BMS 对中低压 MOS 的需求量持续上涨，同时器件的性能指标、可靠性门槛持续拉高，整个中低压 MOS 赛道迎来结构性变革。MDD 辰达半导体（Microdiode semiconductor）深耕分立器件 18 年，紧跟储能 BMS 行业需求迭代，持续推出适配储能场景的中低压 MOS 系列产品。

2026-10-27 512 关键词： MDD辰达半导体储能BMS MOSFET 国产替代
重型AR眼镜BMS选型指南：耐压、内阻、散热三大核心参数如何取舍？

空间计算持续引爆AR眼镜赛道！重型AR眼镜向着沉浸式虚实交互体验全速迭代，但光鲜的体验升级背后，硬件电源侧的挑战接踵而至：高亮度投影光机上电瞬间爆发巨大浪涌电流，AI 算力芯片、多传感器集群同步工作带来持续重载。不少原型样机在测试中频繁黑屏、意外重启，看似是显示或算法故障，根源却藏在锂电池BMS保护回路。国产功率 MOS管，针对性解决重型AR锂电保护难题，为整机安全保驾护航。

2026-10-27 368 关键词：合科泰 MOS管 AR眼镜锂电保护国产功率器件
从AI智屏到血氧手表：红外接收头与光敏二极管的选型逻辑正在改写

从AI智屏的底层执行，到多波长健康监测，再到机器人感知。红外技术没有边缘化，而是进入了“场景复兴”与“架构升级”的新周期。面对新趋势，硬件工程师该如何重构选型逻辑？

2026-10-27 269 关键词：成兴光 XINGLIGHT 红外接收头光敏二极管
RTC芯片选型指南：工作原理、关键参数与应用场景详解

RTC芯片选型看五点：晶振内置/外置、时间精度、待机电流、封装尺寸与备份切换。YXC扬兴科技6大系列覆盖±3.4ppm精度、250nA待机电流与3.2×2.5mm封装，附参数对照。

2026-10-27 245 关键词： RTC芯片选型 YXC扬兴科技实时时钟低功耗
一文详解雪崩击穿与齐纳击穿

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子和空穴。新产生的自由电子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。

2026-10-27 286 关键词：雪崩击穿齐纳击穿 PN结反向击穿击穿电压